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1、超薄晶圓操控難題：半自動晶圓減薄機在處理 50μm 以下超薄晶圓時，因晶圓剛度急劇下降，傳統真空吸附方式難以平衡固定需求與損傷風險，導致 12 英寸超薄晶圓減薄良率僅 85% 左右，翹曲、碎裂問題頻發，成為製約設備應用的關鍵痛點。

2、精度與應力控製矛盾：半自動晶圓減薄機的機械研磨過程中，砂輪與晶圓熱膨脹係數失配易誘發非均勻熱變形，使總厚度偏差（TTV）超 2μm；同時針對 SiC、GaN 等脆性材料，設備難以精準控製磨削力度，易產生崩邊、亞表麵裂紋，損傷層深度可達 2-10μm。

3、異種材料適配局限：3D IC 封裝場景中，TSV 銅互連層與矽基體硬度差異顯著（2.5GPa vs 12GPa），半自動晶圓減薄機的單一磨削模式無法適配材質差異，導致磨削力波動，嚴重影響晶圓表麵質量；寬禁帶半導體的特殊物理特性，進一步加劇了設備的適配難度。

4、半自動流程效率瓶頸：現有半自動晶圓減薄機依賴人工輔助上下料、手動調整工藝參數，不僅導致單晶圓減薄周期較全自動設備長 30%，還因人為操作差異造成批次一致性差，對操作人員的經驗依賴度極高，限製了產能提升與規模化應用。