主要用途:
本設備主要用於研磨Si、Ge、GaAs、InP、SiC、GaN、ZnO、LiTaO3、石英玻璃、金剛石等半導體材料
設備特點:
1、該係列設備是我司自主設計製造的全自動晶圓研磨機,技術成熟,性能穩定,可完全替代進口品牌。
2、先進的處理係統和設計特點有助於實現高產量高良率。
3、標配接觸式在線測厚。也可選配非接觸式NCG(非接觸)。
4、采用LCD觸摸屏圖形用戶界麵,使操作和維護更加直觀和簡單。
5、突破核心技術封鎖,自研大功率靜壓氣浮主軸,承載平台。
6、采用大理石基座,大理石氣浮轉台,極大提高了設備的整體穩定性。
7、可研磨3至12英寸的各種晶圓。
+8613622378685
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主要技術參數:
型號 |
200A |
300A |
晶圓尺寸 |
4",6",8" |
8",12" |
研磨方式 |
In-feed grinding with wafer Rotation |
In-feed grinding with wafer Rotation |
研磨輪 |
鑽石輪 |
鑽石輪 |
額定功率 |
7.5kw |
11KW |
額定轉速 |
1000-7000 |
1000-4000 |
TTV |
≤2um |
≤3um |
表麵粗糙度 |
可根據客戶要求調整 |
可根據客戶要求調整 |
厚度測量精度 |
1um |
1um |
外形尺寸(WxDxH) |
2500x4500x1800mm |
2500x4500x1800mm |
總重量 |
大約4000kg |
大約5000kg |