【芯观点】从光刻技术发展看半导体技术路线
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从1947年第一个晶体管问世算起,半导体技术一直在迅猛发展,现在它仍保持着强劲的发展态势,继续遵循摩尔定律指明的方向前进,大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的IC生产,正在对半导体产业链带来前所未有的挑战。
集成电路在制造过程中经历了材料制备、掩膜、光刻、清洗、刻蚀、掺杂、化学机械抛光等多个工序,其中尤以光刻工艺最为关键,决定着制造工艺的先进程度。随着集成电路由微米级向钠米级发展,光刻采用的光波波长也从近紫外(NUV)区间的436nm、365nm波长进入到深紫外(DUV)区间的248nm、193nm波长。目前大部分芯片制造工艺采用了248nm和193nm光刻技术。目前对于13.5nm波长的EUV极端远紫外光刻技术研究也在提速前进。
可以说,随着芯片集成度的提高,对光刻技术提出了越来越高的要求,而光刻技术的演进,在某种程度上也反映了半导体技术的发展路线。上世纪中叶,IEEE电子和电子工程师协会设立了ITRS组织,该组织每年都会发布一份半导体领域中技术路线图——ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)。但在2017年,IEEE停止更新ITRS,并将其重新重命名为IRDS,他们认为这样可以更全面地反应各种系统级新技术。
IRDS路线图光刻委员会主席、厦门大学嘉庚创新实验室产业运营平台科技总监,厦门大学半导体科学与技术学院客座教授Mark Neisser最近对光刻技术与半导体路线之间的关系进行了详细解读。
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从1947年第一个晶体管问世算起,半导体技术一直在迅猛发展,现在它仍保持着强劲的发展态势,继续遵循摩尔定律指明的方向前进,大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的IC生产,正在对半导体产业链带来前所未有的挑战。
集成电路在制造过程中经历了材料制备、掩膜、光刻、清洗、刻蚀、掺杂、化学机械抛光等多个工序,其中尤以光刻工艺最为关键,决定着制造工艺的先进程度。随着集成电路由微米级向钠米级发展,光刻采用的光波波长也从近紫外(NUV)区间的436nm、365nm波长进入到深紫外(DUV)区间的248nm、193nm波长。目前大部分芯片制造工艺采用了248nm和193nm光刻技术。目前对于13.5nm波长的EUV极端远紫外光刻技术研究也在提速前进。
可以说,随着芯片集成度的提高,对光刻技术提出了越来越高的要求,而光刻技术的演进,在某种程度上也反映了半导体技术的发展路线。上世纪中叶,IEEE电子和电子工程师协会设立了ITRS组织,该组织每年都会发布一份半导体领域中技术路线图——ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)。但在2017年,IEEE停止更新ITRS,并将其重新重命名为IRDS,他们认为这样可以更全面地反应各种系统级新技术。
IRDS路线图光刻委员会主席、厦门大学嘉庚创新实验室产业运营平台科技总监,厦门大学半导体科学与技术学院客座教授Mark Neisser最近对光刻技术与半导体路线之间的关系进行了详细解读。
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- 编辑:刘敏
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