索尼全球首发双层晶体管堆叠式 CIS 技术
12 月 16 日讯，今天索尼半导体解决方案宣布其已成功开发出全球首个双层晶体管像素堆叠式 CIS 技术。
和传统 CIS 光电二极管和像素晶体管分布在同一基片不同，索尼半导体开发的新技术让光电二极管分别置于不同的基片层。
新技术不仅使得独立优化光电二极管和像素晶体管架构成为了可能，从而使饱和信号量相较传统图像传感器增加约一倍，同时还能增加放大晶体管的尺寸，从而大幅降低在昏暗场景下的噪点问题。
（holly）
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- 编辑：刘敏
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