传三星电子3纳米工艺试产良率仅两成
据台媒报道，三星电子规划今年实现3纳米制程芯片量产，不过业内传言当前工艺（3GAE）的试产良率不尽如人意，仅达到约两成，低良率带来的高成本，使三星在3纳米工艺量产初期可能仅用于自有产品生产。
报道称，三星计划在2023年引入第二代3纳米工艺（3GAP），届时或将开始积极为代工客户服务。（乐川）
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- 编辑：刘敏
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